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<div style='display: inline'>
<h1 style='font-family: Malgun Gothic, Consolas; font-size: 20pt; color: #006699; text-align: center; font-weight: bold'>컬렉터 9V, 베이스에 5V와 3.3V 전압으로 테스트하는 C1815 트랜지스터</h1>

지난 글의 트랜지스터 실습에 이어서, 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
9V 전압에서 테스트하는 C1815 트랜지스터
; <a target='tab' href='http://www.sysnet.pe.kr/2/0/11651'>http://www.sysnet.pe.kr/2/0/11651</a>
</pre>
 
이번에는 베이스로 인가되는 전압을 아두이노의 5V 전원 핀에서 받아 테스트를 했습니다. 일단, 트랜지스터를 사용하기 전 5V 전압으로 다음과 같이 회로를 구성해, 
 
<img alt='c1815_5v_9v_1.png' src='/SysWebRes/bbs/c1815_5v_9v_1.png' /> 
 
각각의 측정값을 구해 두었습니다. 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
[측정값]
전압: 4.96V
전류: 2.05mA

217&#8486; 저항: 0.444v
LED: 2.5V
978&#8486; 저항: 2.005V
(총 4.949V)
</pre>
 
즉, 원래는 2.05mA가 소비되는 회로인 것입니다. 여기에 다음과 같이 트랜지스터를 넣어 구성합니다. 
 
<img alt='c1815_5v_9v_2.png' src='/SysWebRes/bbs/c1815_5v_9v_2.png' /> 
 
이후, Emitter - GND 구간의 출력 전류는 1.85mA였고 베이스 쪽의 입력 전류는 200:1 증폭을 감안하면 0.00925mA가 나와야 합니다. 실제로 0.1mA 정확도인 제 계측기로는 5V가 제공하는 입력 전류가 0mA로 계산되어 나옵니다. 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
이미터 출력
 전류: 1.85mA
 전압: 4.32V

베이스 입력
 전류: 0.00925mA (계산 값)
 전압: 4.96V
</pre>
 
이미터 출력 기준으로 이후의 부품들에 대한 전압 및 저항을 계산하고, 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
V = IR
4.32V = 1.85mA * R, 2335.1351&#8486;

LED: 2.485V (계산상 1357&#8486; 정도의 저항)
978&#8486; 저항: 1.821V
(총 2.485 + 1.821 = 4.306V)
</pre>
 
베이스에서 이미터로 회로가 연결되었다고 가정(?)하고 베이스에서 측정된 전압과 전류로 트랜지스터 이후의 저항을 측정해 보면 이렇습니다. 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
4.96V = 0.00925mA * R, 536216.216216&#8486;
</pre>
 
즉, 베이스에서 이미터 이후로 약 536K 정도의 저항이 걸린 회로처럼 동작합니다. 
 
<hr style='width: 50%' /> 
 
아두이노의 3.3V 입력으로 바꾸면 트랜지스터의 이미터 출력 이후의 전류가 0.38mA로 나옵니다. 그럼 200:1로 봤을 때 베이스의 입력 전류는 0.0019mA가 됩니다. 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
이미터 출력
 전류: 0.38mA
 전압: 2.658V

베이스 입력
 전류: 0.0019mA (계산 값)
 전압: 3.262V
</pre>
 
이미터 출력 기준으로 이후의 부품들에 대한 전압 및 저항을 계산하고, 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
V = IR
2.658V = 0.38mA * R, 6994.7368&#8486;

LED: 2.271V (계산상 6016&#8486; 정도의 저항)
978&#8486; 저항: 0.387V
(총 2.271V + 0.387V = 2.658V)
</pre>
 
베이스에서 이미터로 회로가 연결되었다고 가정(?)하고 베이스에서 측정된 전압과 전류로 트랜지스터 이후의 저항을 측정해 보면 이렇습니다. 
 
<pre style='margin: 10px 0px 10px 10px; padding: 10px 0px 10px 10px; background-color: #fbedbb; overflow: auto; font-family: Consolas, Verdana;' >
3.262V = 0.0019mA * R, 1716842.1052&#8486;
</pre>
 
즉, 베이스에서 이미터 이후로 약 1,716K 정도의 저항이 걸린 회로처럼 동작합니다. 
 
(<a target='tab' href='http://www.sysnet.pe.kr/bbs/DownloadAttachment.aspx?fid=1337&amp;boardid=331301885'>첨부 파일은 이 글의 그림에 사용된 fzz 원본</a>입니다.)

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</div>

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