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컬렉터 9V, 베이스에 5V와 3.3V 전압으로 테스트하는 C1815 트랜지스터

지난 글의 트랜지스터 실습에 이어서,

9V 전압에서 테스트하는 C1815 트랜지스터
; https://www.sysnet.pe.kr/2/0/11651

이번에는 베이스로 인가되는 전압을 아두이노의 5V 전원 핀에서 받아 테스트를 했습니다. 일단, 트랜지스터를 사용하기 전 5V 전압으로 다음과 같이 회로를 구성해,

c1815_5v_9v_1.png

각각의 측정값을 구해 두었습니다.

[측정값]
전압: 4.96V
전류: 2.05mA

217Ω 저항: 0.444v
LED: 2.5V
978Ω 저항: 2.005V
(총 4.949V)

즉, 원래는 2.05mA가 소비되는 회로인 것입니다. 여기에 다음과 같이 트랜지스터를 넣어 구성합니다.

c1815_5v_9v_2.png

이후, Emitter - GND 구간의 출력 전류는 1.85mA였고 베이스 쪽의 입력 전류는 200:1 증폭을 감안하면 0.00925mA가 나와야 합니다. 실제로 0.1mA 정확도인 제 계측기로는 5V가 제공하는 입력 전류가 0mA로 계산되어 나옵니다.

이미터 출력
    전류: 1.85mA
    전압: 4.32V

베이스 입력
    전류: 0.00925mA (계산 값)
    전압: 4.96V

이미터 출력 기준으로 이후의 부품들에 대한 전압 및 저항을 계산하고,

V = IR
4.32V = 1.85mA * R, 2335.1351Ω

LED: 2.485V (계산상 1357Ω 정도의 저항)
978Ω 저항: 1.821V
(총 2.485 + 1.821 = 4.306V)

베이스에서 이미터로 회로가 연결되었다고 가정(?)하고 베이스에서 측정된 전압과 전류로 트랜지스터 이후의 저항을 측정해 보면 이렇습니다.

4.96V = 0.00925mA * R, 536216.216216Ω

즉, 베이스에서 이미터 이후로 약 536K 정도의 저항이 걸린 회로처럼 동작합니다.




아두이노의 3.3V 입력으로 바꾸면 트랜지스터의 이미터 출력 이후의 전류가 0.38mA로 나옵니다. 그럼 200:1로 봤을 때 베이스의 입력 전류는 0.0019mA가 됩니다.

이미터 출력
    전류: 0.38mA
    전압: 2.658V

베이스 입력
    전류: 0.0019mA (계산 값)
    전압: 3.262V

이미터 출력 기준으로 이후의 부품들에 대한 전압 및 저항을 계산하고,

V = IR
2.658V = 0.38mA * R, 6994.7368Ω

LED: 2.271V (계산상 6016Ω 정도의 저항)
978Ω 저항: 0.387V
(총 2.271V + 0.387V = 2.658V)

베이스에서 이미터로 회로가 연결되었다고 가정(?)하고 베이스에서 측정된 전압과 전류로 트랜지스터 이후의 저항을 측정해 보면 이렇습니다.

3.262V = 0.0019mA * R, 1716842.1052Ω

즉, 베이스에서 이미터 이후로 약 1,716K 정도의 저항이 걸린 회로처럼 동작합니다.

(첨부 파일은 이 글의 그림에 사용된 fzz 원본입니다.)




[이 글에 대해서 여러분들과 의견을 공유하고 싶습니다. 틀리거나 미흡한 부분 또는 의문 사항이 있으시면 언제든 댓글 남겨주십시오.]





[최초 등록일: ]
[최종 수정일: 9/11/2018 ]

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